Transistor 600V 5.7A 115A STP10NK60Z
Caratteristiche
Produttore STMicroelectronics
Tipo del transistor N-MOSFET
Tecnologia SuperMesh™
Polarizzazione unipolare
Tensione drenaggio-fonte 600V
Corrente di drenaggio 5.7A
Potenza dissipata 35W
Corpo TO220FP
Tensione porta-sorgente ±30V
Resistenza nello stato di conduzione 750mΩ
Montaggio THT
Genere di confezione tubo
Genere di canale arricchito
Proprieta degli elementi semiconduttori ESD protected gate
PRODOTTI SUGGERITI
