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Transistor 2SD1207

Codice articolo: 2SD1207
Disponibilitą: Disponibile
Prezzo iniziale
Prezzo
IVA inclusa

Caratteristiche

Il 2SD1207 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) a canale N progettato per applicazioni di amplificazione e switching di potenza. Ecco una panoramica delle sue caratteristiche principali e delle sue applicazioni:

Specifiche Chiave:

  • Tipo: Transistor BJT a canale N
  • Tensione Collector-Emitter (V_CE): Fino a 120V
  • Corrente Collector Continua (I_C): Fino a 8A
  • Dissipazione di Potenza (P_C): Circa 60W
  • Guadagno di Corrente in Continua (h_FE): Tipicamente tra 20 e 60
  • Frequenza di Transizione (f_T): Tipicamente intorno ai 2MHz

Caratteristiche:

  • Alta Corrente di Collettore: Adatto per applicazioni che richiedono una corrente elevata fino a 8A.
  • Alta Tensione di Collector-Emitter: Gestisce tensioni fino a 120V.
  • Dissipazione di Potenza Elevata: Capacità di gestire elevate potenze termiche grazie al suo involucro.
Codice articolo: 2SD1207
Disponibilitą: Disponibile
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IVA inclusa