Transistor Mosfet Y25NA60 25A 600V
Caratteristiche
Il Y25NA60 è un MOSFET a canale N progettato per gestire elevate tensioni e correnti. Ecco una panoramica delle sue caratteristiche principali e delle sue applicazioni tipiche:
Specifiche Chiave:
- Tipo: MOSFET a canale N
- Tensione Drain-Source (V_DS): 600V
- Corrente Drain Continua (I_D): 25A
- Tensione Gate-Source (V_GS): Tipicamente ±20V
- Dissipazione di Potenza (P_D): Circa 94W (a seconda delle condizioni di raffreddamento e dell'involucro)
- Resistenza Drain-Source in Conduzione (R_DS(on)): Bassa, tipicamente intorno a 0.18Ω
- Frequenza di Transizione (f_T): Tipicamente intorno ai 25kHz
Caratteristiche:
- Alta Tensione di Drain-Source: Adatto per applicazioni ad alta tensione fino a 600V.
- Alta Corrente di Drain: Capacità di gestire correnti elevate fino a 25A.
- Bassa Resistenza in Conduzione: Riduce le perdite di potenza durante la conduzione.