Transistor IRF740S
Caratteristiche
Il IRF740S è un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) a canale N progettato per applicazioni di switching e amplificazione. È prodotto da International Rectifier, noto per le sue buone prestazioni in ambienti di alta tensione e alta potenza.
Specifiche Chiave:
- Tipo: MOSFET a canale N
- Tensione Drain-Source (V_DS): Fino a 400V
- Corrente Drain Continua (I_D): Fino a 10A
- Tensione Gate-Source (V_GS): Tipicamente ±20V
- Resistenza Drain-Source in Conduzione (R_DS(on)): Circa 0.55Ω (a V_GS = 10V)
- Dissipazione di Potenza (P_D): Fino a 40W (a 25°C, con adeguato raffreddamento)
- Frequenza di Transizione (f_T): Tipicamente 10kHz (la frequenza di switching effettiva può essere inferiore in pratica)
Caratteristiche:
- Alta Tensione di Drain-Source: Gestisce tensioni fino a 400V, adatto per applicazioni ad alta tensione.
- Corrente di Drain Elevata: Capacità di gestire correnti fino a 10A.
- Bassa Resistenza in Conduzione: Riduce le perdite di potenza durante la conduzione.
- Alta Capacità di Dissipazione del Calore: Progettato per gestire elevate potenze termiche con un adeguato raffreddamento.